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    石墨烯NMP漿料生產(chǎn)設(shè)備

    產(chǎn)品型號: CMD2000
    品  牌: 依肯
    • ≧1 臺
      ¥108900.00
    所 在 地: 上海松江區(qū)
    更新日期: 2024-10-21
    詳細(xì)信息

     

    石墨烯NMP研磨分散機(jī),石墨烯NMP漿料生產(chǎn)設(shè)備,石墨烯NMP高剪切分散機(jī),石墨烯NMP高剪切研磨機(jī),石墨烯NMP漿料專用生產(chǎn)設(shè)備, 石墨烯油墨研磨分散機(jī),石墨烯油墨生產(chǎn)設(shè)備,石墨烯油墨生產(chǎn)工藝,石墨烯高剪切研磨分散機(jī),石墨烯剝離設(shè)備,石墨烯高剪切分散機(jī),石墨烯分層設(shè)備

    石墨烯主要制備方法:
    制備石墨烯常見的方法為機(jī)械剝離法、氧化還原法、SiC外延生長法和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。


    1.機(jī)械剝離法是利用物體與石墨烯之間的摩擦和相對運(yùn)動,得到石墨烯薄層材料的方法。這種方法操作簡單,得到的石墨烯通常保持著完整的晶體結(jié)構(gòu),但是得到的片層小,生產(chǎn)效率低。

    2.氧化還原法是通過將石墨氧化,增大石墨層之間的間距,再通過物理方法將其分離,***后通過化學(xué)法還原,得到石墨烯的方法。這種方法操作簡單,產(chǎn)量高,目前國內(nèi)使用氧化,還原法制作石墨烯漿料的,如:寧波墨
    稀、東莞鴻納、第六元素等企業(yè)

    3.SiC外延法是通過在超高真空的高溫環(huán)境下,使硅原子升華脫離材料,剩下的C原子通過自組形式重構(gòu),從而得到基于SiC襯底的石墨烯。這種方法可以獲得高質(zhì)量的石墨烯,但是這種方法對設(shè)備要求較高

    4.CVD也叫氣相沉積法是目前***有可能實(shí)現(xiàn)工業(yè)化制備高質(zhì)量、大面積石墨烯的方法。這種方法制備的石墨烯具有面積大和質(zhì)量高的特點(diǎn),國內(nèi)用氣相沉積法制作石墨烯漿料的如  重慶墨稀、常州第六元素等企業(yè)

            前瞻產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2014-2018年石墨烯項(xiàng)目可行性研究報(bào)告》指出石墨烯良好的電導(dǎo)性能和透光性能,使它在透明電導(dǎo)電極方面有非常好的應(yīng)用前景。觸摸屏、液晶顯示、有機(jī)光伏電池、有機(jī)發(fā)光二極管等等,都需要良好的透明電導(dǎo)電極材料。特別是,石墨烯的機(jī)械強(qiáng)度和柔韌性都比常用材料氧化銦錫優(yōu)良;氧化銦錫脆度較高,比較容易損毀。在溶液內(nèi)的石墨烯薄膜可以沉積于大面積區(qū)域。通過化學(xué)氣相沉積法,可以制成大面積、連續(xù)的、透明、高電導(dǎo)率的少層石墨烯薄膜,主要用于光伏器件的陽極,并得到高達(dá)1.71%能量轉(zhuǎn)換效率;與用氧化銦錫材料制成的元件相比,大約為其能量轉(zhuǎn)換效率的55.2%。作為新興產(chǎn)業(yè),前瞻網(wǎng)指出。石墨烯未來前途一片光明。

    關(guān)于石墨烯:

      石墨烯特殊的結(jié)構(gòu)形態(tài),使其具備目前世界上***硬、***薄的特征,同時(shí)也具有很強(qiáng)的韌性、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。這些及其特殊的特性使其擁有無比巨大的發(fā)展空間,未來可以應(yīng)用于電子、航天、光學(xué)、儲能、生物醫(yī)藥、日常生活等大量領(lǐng)域!"十二五"期間中國石墨烯行業(yè)深度市場調(diào)研與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》稱石墨烯集合世界上***優(yōu)質(zhì)的各種材料品質(zhì)于一身,故有業(yè)內(nèi)人士如此評價(jià):如果說20世紀(jì)是硅的世紀(jì),石墨烯則開創(chuàng)了21世紀(jì)的新材料紀(jì)元,將給世界帶來實(shí)質(zhì)性變化。

       石墨烯結(jié)構(gòu)非常穩(wěn)定,迄今為止,研究者仍未發(fā)現(xiàn)石墨烯中有碳原子缺失的情況。石墨烯中各碳原子之間的連接非常柔韌,當(dāng)施加外部機(jī)械力時(shí),碳原子面就彎曲變形,從而使碳原子不必重新排列來適應(yīng)外力,也就保持了結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。這種穩(wěn)定的晶格結(jié)構(gòu)使碳原子具有優(yōu)秀的導(dǎo)電性。石墨烯中的電子在軌道中移動時(shí),不會因晶格缺陷或引入外來原子而發(fā)生散射。由于原子間作用力十分強(qiáng),在常溫下,即使周圍碳原子發(fā)生擠撞,石墨烯中電子受到的干擾也非常小。

          石墨烯***大的特性是其中電子的運(yùn)動速度達(dá)到了光速的1/300,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了電子在一般導(dǎo)體中的運(yùn)動速度。這使得石墨烯中的電子,或更準(zhǔn)確地,應(yīng)稱為“載荷子”(electric  charge  carrier),的性質(zhì)和相對論性的中微子非常相似。

          石墨烯有相當(dāng)?shù)牟煌该鞫龋嚎梢晕沾蠹s2.3%的可見光。而這也是石墨烯中載荷子相對論性的體現(xiàn)。 

    石墨烯NMP漿料生產(chǎn)設(shè)備 
    在做納米粉體分散或研磨時(shí),因?yàn)榉垠w尺度由大變小的過程中,范德華力及布朗運(yùn)動現(xiàn)象逐漸明顯且重要。選擇適當(dāng)助劑以避免粉體再次凝聚及選擇適當(dāng)?shù)难心C(jī)來控制研磨漿料溫度以降低或避免布朗運(yùn)動影響,是濕法研磨分散方法能否成功地得到納米級粉體研磨及分散關(guān)鍵技術(shù)
    。
        

        CMD2000系列的線速度很高,剪切間隙非常小,這樣當(dāng)物料經(jīng)過的時(shí)候,形成的摩擦力就比較劇烈,結(jié)果就是通常所說的濕磨。定轉(zhuǎn)子被制成圓椎形,具有精細(xì)度遞升的多級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的與轉(zhuǎn)子之間的距離。在增強(qiáng)的流體湍流下,凹槽在每級都可以改變方向。高質(zhì)量的表面拋光和結(jié)構(gòu)材料,可以滿足不同行業(yè)的多種要求。 

    IKN石墨烯研磨設(shè)備采用德國先進(jìn)的高速研磨分散技術(shù),通過超高
    轉(zhuǎn)速(***高可達(dá)14000rpm)帶動超高精密的磨頭定轉(zhuǎn)子(通常配CM+8SF,定轉(zhuǎn)子間隙在0.2-0.3之間)使石墨烯漿料在設(shè)備的高線速度下形成湍流,在定轉(zhuǎn)子間隙里不斷的撞擊、破碎、研磨、分散、均質(zhì),從而得出超細(xì)的顆粒(當(dāng)然也需要合適的分散劑做助劑)。綜合以上幾點(diǎn)可以得出理想的導(dǎo)電石墨烯漿料。

     

    技術(shù)及價(jià)格咨詢請來電上海依肯機(jī)械設(shè)備有限公司:聶倩文     QQ    --- ,公司有樣機(jī)可供客戶實(shí)驗(yàn),歡迎廣大客戶來我司參觀指導(dǎo)!我司有著豐富的石墨烯研磨經(jīng)驗(yàn),跟常州、無錫、長春、寧波、濰坊、深圳、廈門、東莞等地大型鋰電石墨烯、碳納米管生產(chǎn)企業(yè)有著深度合作。歡迎您的來電!

     

       CMD2000系列研磨分散機(jī)的結(jié)構(gòu):研磨式分散機(jī)是由錐體磨,分散機(jī)組合而成的高科技產(chǎn)品。
      *級由具有精細(xì)度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的與轉(zhuǎn)子之間的距離。在增強(qiáng)的流體湍流下,凹槽在每級都可以改變方向。
      第二級由轉(zhuǎn)定子組成。分散頭的設(shè)計(jì)也很好地滿足不同粘度的物質(zhì)以及顆粒粒徑的需要。
     CMD2000系列設(shè)備選型表

     

     

    型號

    流量
    L/H

    轉(zhuǎn)速
    rpm

    線速度
    m/s

    功率
    kw

    入/出口連接
    DN

    CMD2000/4

    300

    9000

    23

    2.2

    DN25/DN15

    CMD2000/5

    1000

    6000

    23

    7.5

    DN40/DN32

    CMD2000/10

    2000

    4200

    23

    22

    DN80/DN65

    CMD2000/20

    5000

    2850

    23

    37

    DN80/DN65

    CMD2000/30

    8000

    1420

    23

    55

    DN150/DN125

    CMD2000/50

    15000

    1100

    23

    11O

    DN200/DN150

     

     

     

    流量取決于設(shè)置的間隙和被處理物料的特性,同時(shí)流量可以被調(diào)節(jié)到***大允許量的10%。

    (詳情請接洽上海依肯,    聶倩文   )
    1.表中上限處理量是指介質(zhì)為“水”的測定數(shù)據(jù)。
    2.處理量取決于物料的粘度,稠度和***終產(chǎn)品的要求。
    3.如高溫,高壓,易燃易爆,腐蝕性等工況,必須提供準(zhǔn)確的參數(shù),以便選型和定制。
    4.本表的數(shù)據(jù)因技術(shù)改動,定制而不符,正確的參數(shù)以提供的實(shí)物為準(zhǔn).

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